未来光纤激光镜片市场动向及技术发展的趋势

    国内光纤激光器的研究始于上世纪90年代后期，南开大学在国内率先开展了光纤激光器方面的研究，随后上海光机所、中国兵装院、中电11所、西安光机所等单位在此方面进行了很多试验研究，但这些研究基本全都停留在实验室阶段，离产品化相去甚远。特别是针对高性能光纤激光器的研究相对较少，实用化方面所做的工作也远远不够，效果也不是很理想。因此，很有必要进一步加强对被动锁模光纤激光器的研究。

    虽然光纤激光器的技术壁垒高，但是随着众多激光器企业转型进入光纤激光器市场，加大对光纤激光器研发的投入，其未来竞争会日益激烈。如何能够在未来占得市场优势，当下应把握未来光纤激光器激光镜片市场动向及技术发展的趋势。

　　第一、光纤激光器本身性能的提高：如何提高输出功率和转换效率，优化光束质量，缩短增益光纤长度，提高系统稳定性并使其更加小巧紧凑是未来光纤激光器领域研究的重点。

　　第二、新型光纤激光器的研制：在时域方面，具有更小占空比的超短脉冲锁模光纤激光器一直是激光领域研究的热点，高功率飞秒量级脉冲光纤激光器一直是人们长期追求的目标。在频域方面，宽带输出并可调谐的光纤激光器将成为研究热点。

    新加坡科研究人员开发出一款紧凑的异质集成III-V族/硅结构激光器，包括硅III-V族脊波导增益，III-V族/硅光垂直互连通路(VIAs)和硅绝缘体(SOI)纳米光子波导截面。这种紧凑型激光器体积小，可集成在芯片上，可用于各种行业且需求巨大，包括数据通信和存储。

　　III-V族/硅结构激光器可作为芯片光源，具有巨大的吸引力。但要使这类激光器发挥作用，必须严格限制光以最大限度提高激光效率，并与激光器的光波导有效地共享或耦合。

　　研究人员认为这种新结构器件不仅可以作为硅光电子技术的芯片光源，也作为一个潜在的新技术整合平台。与传统光电系统相比，它提高了制造效率和系统集成度，减少了芯片占用的空间。

　　在300 nm厚的硅绝缘层顶部采用低温等离子体辅助直接晶圆键合法形成III-V族半导体层，并在硅上通过刻蚀形成III-V族脊波导增益截面。在50μm范围内将III-V族和同样方向的硅绝缘体逐渐变窄，使光有效的与600nm范围的硅纳米光子波导耦合形成III-V族/硅光垂直互连通路(VIAs)。

　　采用该器件制成的法布里-珀罗(FP)激光器在室温下的连续波激光阈值电流为65 mA，单面的斜线效率是144mW/ A。电流为100mA时，最大单面发射功率约为4.5MW在，侧模抑制比是around30dB。

　　这中新型紧凑异质集成III-V族/硅结构激光器可子系统芯片上的激光器结构复杂度提高。